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一、基本情況
呂長志,研究員,中國電子學會高級會員。1974年畢業于北京工業大學無線電系半導體物理與器件專業并留校任教,1991年在北京工業大學在職研究生畢業。因本人在科研方面的突出成績,于1998年獲中華人民共和國國務院特殊津貼獎勵。1996—2000年作為訪問學者分別在美國伊利諾依大學(UIUC)和弗吉尼亞州立大學(VCU)從事氮化鎵(GaN)基器件的研究,獲得了當時世界領先的AlGaN/GaN MODFET(調制摻雜場效應晶體管)、GaN P-I-N 紫外光探測器科研成果,并發表了相應的論文。因本人在出國留學期間發表的高水平科研論文、在此期間取得的科研成果及所創造的經濟效益,于2005年獲第二屆北京市留學人員創業獎。
二、主要研究方向:
AlGaN/GaN MODFET、GaN基紫外探測器等新型半導體器件的設計及制造;半導體器件、集成電路熱阻的測試研究;電子元器件、集成電路可靠性及加速壽命試驗的研究。
三、在研課題:
GaN/AlGaN HFET的結構材料生長和器件設計制造基礎技術;GaN基紫外探測器研究;半導體分立器件加速壽命試驗新方法的研究;電源模塊可靠性快速評價技術及失效機理的研究;半導體器件貯存壽命的研究;LED、VDMOS、IGBT可靠性的研究。
四、科研成果
1.獲北京市、電子工業部科技進步獎7項,其中有“功率晶體管峰值結溫非破壞性測量技術”“砷化鎵場效應晶體管溝道溫度精確測量技術”“稅務數據自動化采集和計算機讀卡接收系統”等。
2.獲國家發明專利7項,實用新型專利4項。
3.與他人合著《超大規模集成電路設計技術-從電路到芯片》、譯著《半導體器件電子學》《低成本倒裝芯片技術》。
4.發表科研論文100多篇。
五、聯系方式:
北京工業大學電子信息與控制工程學院郵編100124
E-mail: chzhlu@bjut.edu.cn ,Tel: 67392125
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