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個人簡介

蓋艷琴，女，1980年3月出生于山東海陽，中國礦業大學理學院副教授，博士研究生。多年來一直從事寬帶隙半導體材料摻雜改性的理論研究，發表包括PRL,PRB,APL,JPCC等SCI論文十多篇，主持國家自然科學基金兩項(現已結題)。

Email：yqgai@cumt.edu.cn

研究領域

寬帶隙半導體材料摻雜改性的理論研究

科研項目

1、主持 國家自然科學基金—科學部主任專項基金項目“能帶調控提高ZnOp型摻雜效率的理論研究”(11047130)

2、主持 國家自然科學基金—青年科學基金項目“晶格缺陷在ZnO基d0鐵磁體中所起作用的理論研究”(11104345)

3、主持 中國礦業大學青年科研基金 項目“半導體合金Zn1-xBexO中缺陷和摻雜的理論研究”(2009A047)

4、主持 中國礦業大學“啟航計劃”科研基金項目“半導體合金Zn1-xBexO中缺陷和摻雜的理論研究”

5、主持 中國礦業大學教育部“理科專項基金”項目“晶格缺陷對ZnO中磁性影響的理論研究” (2010LKWL03)

6、參與 國家重大基礎研究計劃(973)子課題項目“ZnO的能帶、摻雜與極化的理論研究” (2011CB302003-1)

發表論文

1. Yanqin Gai, Jingbo Li, Shu-Shen Li, et al. Design of Narrow-Gap TiO2: A Passivated Codoping Approach for Enhanced Photoelectrochemical Activity. Physics Review Letter, 2009, 102, 036402.

2. Yanqin Gai, Jingbo Li, Shu-Shen Li, et al., Design of shallow acceptors in ZnO through novel compensated donor-acceptor complexes: A density functional calculation. Physical Review B，2009, 80, 153201.

3. Yanqin Gai, Haowei Peng, and Jingbo Li, Electronic Properties of Nonstoichiometric PbSe Quantum Dots from First Principles. Journal of Physical Chemistry C, 2009, 113 (52): 21506-21511.

4. Y. Q. Gai, B. Yao, Z. P. Wei, et al. Effect on nitrogen acceptor as Mg is alloyed into ZnO. Applied Physics Letters, 2008, 92, 062110.

5.Yanqin Gai, Jingbo Li, Bin Yao, and Jian-Bai Xia. The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants. Journal of Applied Physics, 2009, 105, 113704.

6. Y. Q. Gai，B. Yao，Y. F. Li，et al, Inffuence of hydrostatic pressure on the native point defects in wurtzite ZnO: Ab initio calculation. Physics Letters A, 2008, 372 (30), 5077.

7. Y. Q. Gai，B. Yao, Y. M. Lu, et al. Electronic and optical properties of ZnO thin film under in-plane biaxial strains: Ab initio calculation. Physics Letters A, 2007, 372, Issue 1, 72.

8. Yanqin Gai, Jingbo Li, et al., Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42 155403.

9.Ping Ma, Yanqin Gai, Junxi Wang, et al. Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN Multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O2. Applied Physics Letters, 2008, 93,102112. 【本人為通訊作者】

教學活動

承擔《大學物理A(1)》，《大學物理A(2)》及《大學物理B》的本科教學工作。