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圖書簡介

本書是普通高等教育“十五”國家級規劃教材。全書共7章，以硅集成電路為中心，重點介紹集成器件物理基礎、集成電路制作工藝、集成電路設計和微電子系統設計、集成電路計算機輔助設計（CAD）。
本書適用于非微電子專業的電子信息科學類和電氣信息類的本科生和研究生，也可供從事線路和系統集成化工作的技術人員參考。
目錄
第1章 概論
　1.1 微電子技術和集成電路的發展歷程
　　1.1.1 電子技術與半導體集成電路
　　1.1.2 發展歷程
　　1.1.3 發展特點和技術經濟規律
　1.2 集成電路的分類
　　1.2.1 按電路功能分類
　　1.2.2 按電路結構分類
　　1.2.3 按有源器件結構和工藝分類
　　1.2.4 按電路的規模分類
　1.3 集成電路制造特點和本書學習要點
　　1.3.1 電路系統設計
　　1.3.2 版圖設計和優化
　　1.3.3 集成電路的加工制造
　　1.3.4 集成電路的封裝
　　1.3.5 集成電路的測試和分析
第2章 集成器件物理基礎
　2.1 半導體及其能帶模型
　　2.1.1 半導體及其共價鍵結構
　　2.1.2 半導體的能帶模型
　　2.1.3 費米分布函數
　2.2 半導體的導電性
　　2.2.1 本征半導體
　　2.2.2 非本征載流子
　　2.2.3 半導體中的漂移電流
　　2.2.4 半導體中的擴散電流
　　2.2.5 半導體中的電流
　　2.2.6 半導體基本方程
　2.3 PN結和晶體二極管
　　2.3.1 平衡狀態下的PN結
　　2.3.2 PN結的單向導電性
　　2.3.3 理想PN結模型及其伏－安特性
　　2.3.4 PN結電容
　　2.3.5 PN結擊穿
　　2.3.6 二極管等效電路模型和二極管應用
　　2.3.7 PN結應用
　　2.3.8 其他半導體二極管
　2.4 雙極型晶體管
　　2.4.1 雙極晶體管的直流放大原理
　　2.4.2 影響晶體管直流特性的其他因素
　　2.4.3 晶體管的擊穿電壓
　　2.4.4 晶體管的頻率特性
　　2.4.5 晶體管模型和模型參數
　　2.4.6 異質結雙極晶體管（HBT）
　2.5 JFIZT與MESFET器件基礎
　　2.5.1 器件結構與電流控制原理
　　2.5.2 JFET直流輪出特性的定性分析
　　2.5.3 JFET的直流轉移特性
　　2.5.4 JFET的器件類型和電路符號
　　2.5.5 JFET直流特性定量表達式
　　2.5.6 JFET等效電路和模型參數
　2.6 MOS場效應晶體管
　　2.6.1 MOS晶體管結構
　　2.6.2 MOS晶體管工作原理
　　2.6.3 MOS晶體管直流伏安特性定量結果
　　2.6.4 MOS晶體管的閾值電壓
　　2.6.5 MOS晶體管特點
　　2.6.6 MOS晶體管模型和模型參數
　　2.6.7 硅柵MOS結構和自對準技術
　　2.6.8 高電子遷移率晶體管（HEMT）
　習題
第3章 集成電路制造工藝
　3.1 硅平面工藝基本流程
……
第4章 集成電路設計
第5章 微電子系統設計
第6章 集成電路計算機輔助設計
第7章 IC設計舉例與設計實踐
參考文獻

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